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SK hynix 第二代 10nm 制程 DDR4 DRAM 开发完成,将于 2019 年第一季量产

Samsung 总是走在前头,SK hynix 与 Micron 在后追赶。

在 DDR4 仍为市场主流前提下,各动态随机存取存储厂不断提升半导体制程,以期带来更高的获利。SK hynix 宣布,第二代 10nm 制程 DDR4 DRAM 完成开发,与先前技术相较可降低 15% 耗电量。此外,生产率也获得提高 20% 的效益,同时更能让频率再往上提升。

SK hynix 第二代 10nm 制程 DDR4 DRAM 开发完成,将于 2019 年第一季量产

产品基于第二代 10nm 制程技术,当前所完成开发的 8Gbit 容量产品,最高频率组态可达 DDR4-3200(3200Mbps),这达到了 JEDEC 所制定 DDR4 DRAM 规范最高频率规格。新产品适用于台式电脑、行动平台、服务器等设备,预定在 2019 年第一季开始量产,并将依市场需求调整产能占比。

原创文章,作者:root,如若转载,请注明出处:https://www.522it.com/news/385/

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